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J-GLOBAL ID：200903095842820630
フォトマスク及びフォトマスクの製造方法及びエッチング方法及び露光方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992183551
Publication number (International publication number)：1994027636
Application date： Jul. 10, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：
【要約】【構成】半導体素子の製造方法において、透過率分布を有するフォトマスクを用いて、レジストパターンに段差を形成する。次に段差の形成されたレジストを保護膜としてエッチングし、保護膜厚分布により下地基板に段差を形成する。また半導体素子の製造に用いるフォトマスクにおいては、フォトマスク上に露光光を吸収するイオンを含有する薄膜を積層してさらに段差を形成し、前記薄膜の膜厚分布で透過率分布を形成する。【効果】一度の露光工程でレジスト中に段差が形成され、一度のエッチング工程で下地基板に段差が形成され、工程が短縮される。露光光を吸収する薄膜による透過率分布のため、反射型の透過率分布のような反射光を抑制できるため、露光寸法の制御性が向上する。
Claim (excerpt)：
投影露光装置に用い、遮光膜によって露光光が完全に遮断される領域における第一の強度透過率、及びガラス基板のみの開口部で露光光が完全に透過される領域における第二の強度透過率の少なくとも一つの強度透過率をもつ領域を有し、かつ前記第一の強度透過率及び前記第二の強度透過率のいずれとも異なる少なくとも一つの強度透過率による第三の強度透過率分布をもつ領域を有するフォトマスクにおいて、フォトマスクに露光光を吸収するイオンを等濃度含有する露光光吸収領域を形成し、前記露光光吸収領域中を露光光が透過する距離の分布により前記第三の強度透過率分布を形成することを特徴とするフォトマスク。
IPC (3)：
G03F 1/08
, H01L 21/027
, H01L 21/302
