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J-GLOBAL ID：200903095843708184

半導体装置

Inventor： 木村 肇
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002274680
Publication number (International publication number)：2004054200
Application date： Sep. 20, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：

【課題】画素を構成するTFTの特性ばらつきが発光素子の輝度に影響しにくく、かつ高速な信号電流の書き込み動作を行うことの出来る発光装置を提供する。【解決手段】信号電流の書き込み時に電流が流れるトランジスタのゲート長Lを、発光時にEL素子に供給する電流が流れるトランジスタのゲート長Lよりも小さくし、本来EL素子に流れる電流よりも大きな電流によって高速に書き込みを行う。信号書き込みには、変換駆動用トランジスタ108を用い、発光時に発光素子に電流を供給する際には変換駆動用トランジスタ108と、駆動用トランジスタ107とを用いることで、書き込み動作と発光動作に別のトランジスタを用いる構成よりも、トランジスタの特性ばらつきが輝度に影響しにくくする【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

入力された信号電流を電圧に変換し、前記変換された電圧に応じた電流を電源より負荷に供給する第1の手段と、 前記変換された電圧を保持する第2の手段と、 前記第2の手段において、前記電圧の保持もしくは解放を選択する第3の手段と、 前記信号電流が入力されている期間においては、前記電源から前記負荷への電流の供給を遮断し、前記負荷を駆動する期間においては、前記変換された電圧に応じて、前記電源より前記負荷に電流を供給する第4の手段とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14

FI (9)：

G09G3/30 K ,  G09G3/30 J ,  G09G3/20 611H ,  G09G3/20 612F ,  G09G3/20 624B ,  G09G3/20 641D ,  G09G3/20 642A ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 614

F-Term (68)：

3K007AB17 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  3K007GA04 ,  5C080AA06 ,  5C080BB05 ,  5C080DD05 ,  5C080DD08 ,  5C080DD23 ,  5C080EE28 ,  5C080FF11 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ05 ,  5C080JJ06 ,  5C080KK07 ,  5C080KK43 ,  5C080KK47 ,  5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ07 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN01 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25