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J-GLOBAL ID：200903095849433969

プラズマ処理装置、及びガス供給方法

Inventor： 石黒 浩二 ,  中島 勝範 ,  大山 勝美 ,  蜂谷 昌幸 ,  志田 啓之 ,  瀬戸山 英嗣
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998349582
Publication number (International publication number)：2000173935
Application date： Dec. 09, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体製造装置などにおけるプラズマCVDやスパッタリングなどのプラズマを用いて処理する工程において、ウエハーに付着する異物数を減少させ、処理膜の欠陥,特性の劣化が少ない、高品質な層間絶縁膜等の処理ウエハーを提供することである。【解決手段】処理室に導入される異物数を低減させるため、ガス導入時の流速を低減させる。このための処理ガス供給運転方法,開度が変化するバルブ,MFC,バルブとMFCの間の排気装置,異物発生源除去用クリーニングプラズマ発生装置,基板処理以外時の異物付着低減化のためのガス供給装置等で構成される。

Claim (excerpt)：

処理ガスを処理室に導入するにあたり、一定圧力に制御された処理ガスボンベと処理室の間に設けられ、処理ガスの流量、または圧力を制御するために設置されたガス流量器,フィルター,ガスの流れを制御するバルブなどから構成される処理ガス供給部と、処理ガスを処理室に導入するための経路、及びガス供給口を有する処理室部と、処理室に基板を保持する基板保持部とを備えたプラズマ処理装置において、処理ガスの処理室内のガス供給口での流速を低下させ、プラズマ処理室内に導入されるガス供給口近傍およびガス導入経路に存在する異物数を低減させる異物低減手段を有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/3065

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/34 M ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/302 B

F-Term (32)：

4K029BD01 ,  4K029DA04 ,  4K029DA09 ,  4K029EA04 ,  4K029JA05 ,  4K030DA06 ,  4K030EA03 ,  5F004AA14 ,  5F004AA15 ,  5F004BA04 ,  5F004BB28 ,  5F004BC03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004DA17 ,  5F004EB08 ,  5F045AA08 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045BB14 ,  5F045EB06 ,  5F045EE01 ,  5F045EE04 ,  5F045EE13 ,  5F045EE17 ,  5F045EE18 ,  5F045EE20 ,  5F045EF03