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J-GLOBAL ID：200903095853905280

単結晶成長用基体

Inventor： 磯上 峯男 ,  鷹野 致和
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994177104
Publication number (International publication number)：1996040799
Application date： Jul. 28, 1994
Publication date： Feb. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 欠陥の極めて少ない良質な窒化アルミニウム薄膜を合成し得る新規で優れた単結晶成長用基体を提供すること。【構成】 窒化アルミニウム単結晶を気相成長させる主面が、立方晶系,三方晶系,又は六方晶系のいずれかの結晶系に属する単結晶から成り、かつ該主面の格子面間隔の整数倍をA、窒化アルミニウム単結晶の成長方向における格子面間隔の整数倍をBとしたときに、|A-B|/Aの値が0.08以下であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

窒化アルミニウム単結晶を気相成長させる基体の主面が、立方晶系,三方晶系,又は六方晶系のいずれかの結晶系に属する単結晶から成り、かつ該主面の格子面間隔の整数倍をA、窒化アルミニウム単結晶の成長方向における格子面間隔の整数倍をBとした場合に、下記式(1)を満足する単結晶成長用基体。|A-B|/A ≦ 0.08 ・・・ (1)

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  C01B 21/072 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205