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J-GLOBAL ID：200903095857770974

半導体素子の製造法

Inventor： 今泉 充
Applicant, Patent owner： 大同特殊鋼株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995276080
Publication number (International publication number)：1997092879
Application date： Sep. 20, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【目的】 量子ドット構造を備える半導体素子の製造において、その特性を向上させる製造方法を提供する。【構成】 量子ドット構造における半導体微結晶を形成する際、有機金属化学気相成長法を用い、微結晶を形成する半導体結晶のバルク状態での格子定数と、エネルギー障壁を形成する半導体結晶のバルク状態での格子定数が1%以上異なるものを選択し、成長条件のひとつである成長温度を700°C乃至750°Cとする。

Claim (excerpt)：

大きさが電子のドブロイ波長程度の断面寸法を持つ半導体からなる半導体微小結晶と、ポテンシャルエネルギーがこの半導体微結晶のポテンシャルエネルギーよりも高くエネルギー障壁として機能する半導体にて前記半導体微結晶を囲んだ0次元量子井戸(以後量子ドットと称する)を備える半導体素子の製造において、結晶成長には有機金属化学気相成長法(以後MOCVD法と称する)を用い、微結晶の形成には、微結晶を形成する半導体結晶のバルク状態での格子定数と、エネルギー障壁を形成する半導体結晶のバルク状態での格子定数が1%以上異なるものを選択することで、格子不整合系の3次元成長を利用し、結晶材料半導体微結晶の結晶成長の際の条件として、700°C乃至750°Cの温度で結晶成長させることを特徴とする半導体素子の製造法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 31/10

FI (3)：

H01L 33/00 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 31/10 A