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J-GLOBAL ID：200903095861270137

多層レジストパターン形成方法

Inventor： 升澤 正弘
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001232609
Publication number (International publication number)：2003043697
Application date： Jul. 31, 2001
Publication date： Feb. 13, 2003
Summary：

【要約】【課題】 簡便な方法で、かつ第1のフォトレジストにダメージを与えない透明膜の成膜を実現すること。【解決手段】 基盤100上に第1のフォトレジスト101、透明膜102、第2のフォトレジスト103の順に成膜し、2種類の深さを形成する多層レジストパターン形成方法において、透明膜102は、第1のフォトレジスト101が形成され、所定温度で加熱されている基盤100上に溶液を噴霧して成膜される。

Claim (excerpt)：

基盤上に第1のフォトレジスト、透明膜、第2のフォトレジストの順に成膜し、2種類の深さを形成する多層レジストパターン形成方法において、前記透明膜は、前記第1のフォトレジストが形成され、所定温度で加熱されている前記基盤上に溶液を噴霧して成膜されることを特徴とする多層レジストパターン形成方法。

IPC (5)：

G03F 7/20 501 ,  G03F 7/16 501 ,  G03F 7/26 511 ,  G11B 7/26 501 ,  H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/20 501 ,  G03F 7/16 501 ,  G03F 7/26 511 ,  G11B 7/26 501 ,  H01L 21/30 573

F-Term (21)：

2H025AA18 ,  2H025AB14 ,  2H025DA14 ,  2H025EA04 ,  2H096AA28 ,  2H096CA20 ,  2H096KA02 ,  2H097AA03 ,  2H097AB06 ,  2H097BA06 ,  2H097CA17 ,  2H097FA07 ,  2H097LA20 ,  5D121BA05 ,  5D121BA10 ,  5D121BB04 ,  5D121BB23 ,  5D121BB38 ,  5D121BB40 ,  5F046NA01 ,  5F046NA19