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J-GLOBAL ID：200903095890679117

フローテイングゲートを有する半導体装置

Inventor： 西原 利幸
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991293766
Publication number (International publication number)：1993110107
Application date： Oct. 14, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 EPROMのようなフローティングゲートを有する不揮発性半導体メモリ装置の書き込みおよび消去特性の向上を図ったゲート電極の構造を提供すること。【構成】 フローティングゲート28の少なくとも一部を、表面に多数の微細凹凸が形成される条件で化学気相成長法により形成したポリシリコン層28aで構成し、微細な凹凸が形成してあるフローティングゲート28の表面に、当該凹凸に沿って中間絶縁膜30およびコントロールゲート32が積層してある。

Claim (excerpt)：

ゲート絶縁膜上に、フローティングゲート、中間絶縁膜、コントロールゲートが、この順で積層してある半導体装置において、上記フローティングゲートの少なくとも一部を、表面に多数の微細凹凸が形成される条件で化学気相成長法により形成したポリシリコン層で構成し、微細な凹凸が形成してあるフローティングゲートの表面に、当該凹凸に沿って中間絶縁膜およびコントロールゲートが積層してあることを特徴とするフローティングゲートを有する半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-306672
  
• 特開平3-272165
  
• 特開昭63-043378
  
• 特開平1-133372