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J-GLOBAL ID:200903095901226489

プラズマ処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大島 陽一 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991282098
Publication number (International publication number):1993094899
Application date: Oct. 02, 1991
Publication date: Apr. 16, 1993
Summary:
【要約】【目的】 マイクロ波を用いたプラズマ処理に関し、高密度プラズマを生成し、プラズマプロセスに於ける高速処理化を図る。【構成】 マイクロ波導波路にマイクロ波の最適のマッチング特性を有する軸方向長さの誘電体を設置する。【効果】 マッチング特性が最適となる誘電体を設置することでマイクロ波の反射が抑制され、マイクロ波のエネルギーが効率よくプラズマに供給される。従ってプラズマ密度が上昇し、活性なイオンが増大しエッチング・CVD等のプラズマプロセスに於て高速処理が可能となる。
Claim (excerpt):
プラズマ生成室内にマイクロ波を導入してプラズマを生成し、基板に処理を施すマイクロ波プラズマ処理装置に於て、マイクロ波導波路にマイクロ波の最適のマッチング特性を有する軸方向長さの誘電体を設置することを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (4):
H05H 1/46 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31

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