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J-GLOBAL ID：200903095908738760
光学デバイス及び直列抵抗低減方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992290952
Publication number (International publication number)：1993206588
Application date： Oct. 06, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】 低抵抗の分布ブラッグリフレクタを実現すること。【構成】 2つの単一導電型を有するヘテロな半導体よりなる接合境界に発生する伝導帯あるいは価電子帯の不連続は、このヘテロ界面の組成を徐々に変化させ、界面領域を適切にドーピングすることにより除去できる。組成が変化する接合境界の組成ポテンシャルと界面領域の変調ドープによる界面双極子ポテンシャルは、それらが互いに正確に補償し合うように選択される。界面の組成の変化は、界面の各々の側に直接隣接する狭い領域の組成を準2次関数的に変化させることにより実現される。変調ドープは、構造の極性に依存して、2つの材料を適切な不純物(伝導帯にはドナー、価電子帯にはアクセプタ)によってドープすることにより実現される。このことにより周期的半導体多層構造における電気抵抗が低減され、低抵抗の分布ブラッグリフレクタが実現される。
Claim (excerpt)：
互い違いに積層された複数個の半導体層対よりなる少なくとも一つの多層分布ブラッグリフレクタ(DBR)ミラーを有する光学デバイスにおいて、前記各々の半導体層対の内の一つの層は当該層対の他方の層の屈折率とは相違する屈折率を有しており、隣接する全ての2層はヘテロ接合を形成しており、前記隣接する2層の内の一方は第一の組成と第一のバンドギャップを有し、前記隣接する2層の内の他方は第二の組成と第二のバンドギャップを有しており、前記第二のバンドギャップは前記第一のバンドギャップよりも大きく、各々のヘテロ接合の両側の領域においてその組成が一方の層の組成で始まって他方の層の組成で終わるように準2次関数的に徐々に変化しており、各々のヘテロ接合の前記領域の内の選択された一方の領域が不純物によって選択ドープされて電気的双極子が形成され、これにより伝導帯Ec及び価電子帯Evの内の一方が平滑化され、他方が平坦化していることを特徴とする光学デバイス。
IPC (2)：
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