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J-GLOBAL ID：200903095918613818

強誘電体薄膜の製造方法、電子デバイス、および絶縁体用液体原料

Inventor： 谷奥 正巳 ,  堀川 剛
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999222230
Publication number (International publication number)：2001053071
Application date： Aug. 05, 1999
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 低温で、結晶性の良い強誘電体薄膜を作製することができる方法を提供する。【解決手段】 強誘電体結晶の超微粉末2を絶縁体用液体原料に混合し、これを基板1上にスピンコートで塗布し、次に、450°Cで焼成して、さらに650°Cで焼成し、基板1上に強誘電体薄膜を成膜する。

Claim (excerpt)：

金属元素と有機物とが結合した物質を有機溶媒中に加えた絶縁体用液体原料に、強誘電体結晶の超微粉末を混合し、この混合液を基板上に塗布し、上記液体原料中の有機物を分解蒸発させて、上記基板上に強誘電体薄膜を成膜することを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。

F-Term (4)：

5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01