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J-GLOBAL ID：200903095925902388

プロトン伝導性高分子固体電解質

Inventor： 西山 利彦 ,  原田 学 ,  藤原 正樹 ,  岡田 志奈子 ,  黒崎 雅人 ,  土田 英俊 ,  武岡 眞司 ,  宮武 健治 ,  福島 和明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999036371
Publication number (International publication number)：2000235812
Application date： Feb. 15, 1999
Publication date： Aug. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 低温から高温に亘って広い温度範囲で分解が生起せず、長時間安定した高いプロトン伝導度を示し、成膜性、柔軟性、密着性及び機械的強度に優れるプロトン伝導性高分子固体電解質を提供することにある。【解決手段】 高分子固体電解質が、一般式(1)で表される重合体と一般式(2)又は一般式(3)で表されるスルホン酸化合物からなるプロトン伝導性高分子固体電解質。【化1】【化2】【化3】(式中、R1〜R3は炭素数1〜20の全ての有機残基を示し、N、O、P、S、F、Cl、Br、Iの様なヘテロ原子を含んでも構わない)

Claim (excerpt)：

一般式(1)で表される重合体と一般式(2)又は一般式(3)で表されるスルホン酸化合物からなることを特徴とするプロトン伝導性高分子固体電解質。【化1】(式中、R1は炭素数1〜20の全ての有機残基を示し、N、O、P、S、F、Cl、Br、Iの様なヘテロ原子を含んでも構わない。nは2以上の整数で重合度を示す)【化2】(式中、R2は炭素数1〜20の全ての有機残基を示し、N、O、P、S、F、Cl、Br、Iの様なヘテロ原子を含んでも構わない)【化3】(式中、R3は炭素数1〜20の全ての有機残基を示し、N、O、P、S、F、Cl、Br、Iの様なヘテロ原子を含んでも構わない。mは0.01〜4であり、スルホン酸基導入量を示す。pは2以上の整数で重合度を示す)

IPC (3)：

H01B 1/06 ,  H01M 8/02 ,  H01M 10/40

FI (3)：

H01B 1/06 A ,  H01M 8/02 P ,  H01M 10/40 B

F-Term (12)：

5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5H026AA06 ,  5H026CX04 ,  5H026EE18 ,  5H026EE19 ,  5H029AJ02 ,  5H029AJ15 ,  5H029AM03 ,  5H029AM04 ,  5H029AM16 ,  5H029EJ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-141503
  
• 高分子固体電解質
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-046248   Applicant：ソニー株式会社