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J-GLOBAL ID：200903095929505073

配線形成方法

Inventor： 門村 新吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991290493
Publication number (International publication number)：1993102098
Application date： Oct. 11, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 Al系材料層のアフターコロージョンを防止するための有機ポリマー層のパッシベーション性を向上させる。【構成】 バリヤメタル4,Al-1%Si層5,反射防止膜6からなるAl系多層膜7を、通常の塩素系ガスを用い、レジスト・マスク8を介してエッチングする。続いて、CHF3 /CO(一酸化炭素)混合ガスを用いてプラズマ処理を行い、ウェハの全面を有機ポリマー層9で被覆する。ポリマー形成用のガスにCOを添加することにより、有機ポリマー分子中にカルボニル基が導入され、化学的,物理的安定性が向上する他、重合も促進され、安定したパッシベーション性が発揮される。有機ポリマー層9を形成する前にレジスト・マスク8を除去しておけば、一層効果的である。

Claim (excerpt)：

基板上のアルミニウム系材料層をレジスト・マスクを介してエッチングすることによりアルミニウム系材料パターンを形成する工程と、フルオロカーボン系化合物と一酸化炭素とを含む混合ガスを用いてプラズマ処理を行うことにより基体の全面を有機ポリマー層で被覆する工程とを有することを特徴とする配線形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/3205