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J-GLOBAL ID:200903095936768500

気体分離用のメソポーラス有機-無機ハイブリッド材料

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  西山 雅也
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2002576249
Publication number (International publication number):2004536043
Application date: Mar. 21, 2002
Publication date: Dec. 02, 2004
Summary:
本発明は、多孔度及び官能価が制御された有機-無機ハイブリッド材料の製造方法であって、ミセル濃厚物中の少なくとも1種のノニオン界面活性剤の存在下において、式(I):Z-R1-Si(OR)(OR')(OR")(式中、Zは塩素、臭素もしくは沃素より選ばれる原子、又はアミノもしくはホスフィノ基のいずれかを表し、R、R’及びR”は互いに独立に、1〜4個の炭素原子を含むアルキル基を表し、R1は1〜30個の炭素原子を含む脂肪族炭化水素鎖より誘導される二価の基を表し、ここでこの鎖には所望により、アリーレン基、-O-、-S-、-O-C(=O)-、-N(R6)-C(=O)-もしくは-N(R6)-が挿入されていてもよい)の少なくとも1種の化合物と少なくとも1種のアルカリもしくはアルカリ土類シリケート(II)との混合物(ここでモル比(I)/(II)=1/9である)を加水分解及び重縮合させて式(III)Z-R1-SiO1.59SiO2で表されるメソポーラスシリカを形成すること、及び続いてこの基Zと反応することができる少なくとも1種の基-NH-を含む(Δ)NHにより表される1当量の有機化合物を固定させ、式(IV)(Δ)N-R1-SiO1.59SiO2で表される官能化メソポーラスシリカを形成すること、及び所望により金属カチオンと錯化することにより有機金属錯体(V)を形成することを含む方法である。本発明は式(IV)及び(V)の生成物並びに気体の分離用のその使用に関する。
Claim (excerpt):
多孔度及び官能価が制御された有機-無機ハイブリッド材料の製造方法であって、以下の工程 工程(a):ミセル濃厚物中の少なくとも1種のノニオン界面活性剤の存在下において、下式(I) Z-R1-Si(OR)(OR')(OR") (I) (上式中、Zは塩素、臭素もしくは沃素より選ばれるハロゲン原子、又はアミノもしくはホスフィノ基のいずれかを表し、 R、R’及びR”は同一でも相異なっていてもよく、互いに独立に、1〜4個の炭素原子を含むアルキル基を表し、 R1は1〜30個の炭素原子を含む飽和もしくは不飽和脂肪族炭化水素鎖より誘導される二価の基を表し、ここでこの鎖には所望により、アリーレン基、又は-O-、-S-、-O-C(=O)-、-N(R6)-C(=O)-もしくは-N(R6)-フラグメントより選ばれる1以上の構造結合が挿入されていてもよく、R6は水素原子、1〜6個の炭素原子を有する脂肪族炭化水素基、ベンジル基又はフェネチル基を表し、またこの鎖は未置換であるか又はハロゲン原子、ヒドロキシ基、1〜4個の炭素原子を含むアルキル基、ベンジル基もしくはフェネチル基より選ばれる1以上の基で置換している) の少なくとも1種の化合物と少なくとも1種のアルカリもしくはアルカリ土類シリケート(II)との混合物(ここでモル比(I)/(II)=1/9である)を加水分解及び重縮合させて下式(III) Z-R1-SiO1.59SiO2 (III) で表されるメソポーラスシリカを形成すること、及び続いて 工程(b):式(III)のメソポーラスシリカに、このメソポーラスシリカの基Zと反応することができる少なくとも1種の基-NH-を含む(Δ)NHにより表される1当量の有機化合物を固定させ、下式(IV) (Δ)N-R1-SiO1.59SiO2 (IV) で表される官能化メソポーラスシリカを形成すること を含む方法。
IPC (4):
C07F7/18 ,  B01J20/22 ,  B01J31/28 ,  C01B13/08
FI (4):
C07F7/18 T ,  B01J20/22 A ,  B01J31/28 M ,  C01B13/08
F-Term (65):
4G042BA16 ,  4G042BA25 ,  4G042BA29 ,  4G042BB02 ,  4G066AA37A ,  4G066AA38A ,  4G066AA39A ,  4G066AA47A ,  4G066AA53A ,  4G066AA56A ,  4G066AB13A ,  4G066AB18A ,  4G066AB24B ,  4G066AD01B ,  4G066AD06B ,  4G066CA37 ,  4G069AA01 ,  4G069AA08 ,  4G069AA12 ,  4G069BA02A ,  4G069BA02B ,  4G069BA27A ,  4G069BA27B ,  4G069BC06A ,  4G069BC21A ,  4G069BC31A ,  4G069BC31B ,  4G069BC32A ,  4G069BC33A ,  4G069BC35A ,  4G069BC36A ,  4G069BC37A ,  4G069BC41A ,  4G069BC45A ,  4G069BC47A ,  4G069BC58A ,  4G069BC62A ,  4G069BC66A ,  4G069BC67A ,  4G069BC68A ,  4G069BC72A ,  4G069BC75A ,  4G069BD12A ,  4G069BD12B ,  4G069BD13A ,  4G069BD14A ,  4G069BE20A ,  4G069BE22A ,  4G069BE34A ,  4G069BE44A ,  4G069CC10 ,  4G069EA01Y ,  4G069EC04Y ,  4G069EC14Y ,  4G069EC25 ,  4H048AA01 ,  4H048AA03 ,  4H048AB99 ,  4H048VA56 ,  4H048VB10 ,  4H049VN01 ,  4H049VP09 ,  4H049VQ59 ,  4H049VR21 ,  4H049VR43
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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