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J-GLOBAL ID：200903095942615767
化合物半導体ウェーハの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
荒船 博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992116803
Publication number (International publication number)：1993291233
Application date： Apr. 08, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：
【要約】【構成】 GaAsウェーハを鏡面研磨し、洗浄、水洗した後すぐに、水およびイソプロピルアルコールの双方に任意の割合で可溶な溶剤に上記ウェーハを浸漬して表面の付着水を上記溶剤で置換した後、イソプロピルアルコールによる蒸気乾燥を行なうようにした。【効果】 ウェーハを構成するAsやGaが水と反応して酸化物が生じるのを防止することができ、製造されるデバイスの特性のバラツキを小さくしかつ特性の向上を図ることが可能になるとともに、エピタキシャル成長用基板として使用した場合には、エピタキシャル層表面の欠陥を低減させ、特性の優れたデバイスを歩留まりよく製造することが可能になる。
Claim (excerpt)：
化合物半導体ウェーハを鏡面研磨し、洗浄、水洗した後すぐに、水およびイソプロピルアルコールの双方に任意の割合で可溶な溶剤に上記ウェーハを浸漬して表面の付着水を上記溶剤で置換した後、イソプロピルアルコールによる蒸気乾燥を行なうようにしたことを特徴とする化合物半導体ウェーハの製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/304 361
, H01L 21/304 321
