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J-GLOBAL ID：200903095953041452

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 鈴木 隆司 ,  石子 雅康 ,  光嶋 康一 ,  杉山 進
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995074947
Publication number (International publication number)：1996274157
Application date： Mar. 31, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】 トレンチのコーナー部を滑らかな形状として、結晶欠陥の発生を防止可能な半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板1に形成されているトレンチ2は、その半導体基板1の表面近傍部が基板表面に向かって拡大するテーパ形状のV字溝17となっており、このV字溝17の底部から半導体基板1の垂直方向に向かって更に溝が伸びてトレンチ下部18が構成されている。V字溝17は、半導体基板1をアルカリエッチングすることによって形成されている。トレンチ下部18はV字溝17形成後にRIEによって形成する。そして、トレンチ底辺部19はV字溝17の底部のV字形状を反映して丸みを帯びたラウンド形状となっている。このため、トレンチ2のコーナー部E及びトレンチ底辺部19にて、酸化処理等に際して発生する応力の集中が緩和され結晶欠陥の発生が防止されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板にトレンチが設けられている半導体装置であって、前記トレンチは、その基板表面近傍部が、表面に向けて拡大するテーパ状に形成され、トレンチ底辺部がまるみを帯びたラウンド状に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4)：

H01L 21/76 V ,  H01L 21/76 D ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 625 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-234534
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-235851   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭63-115348
  
• 特開昭59-149030