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J-GLOBAL ID:200903095963359256
液晶表示装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
梅田 勝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996311600
Publication number (International publication number):1998153793
Application date: Nov. 22, 1996
Publication date: Jun. 09, 1998
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、付加容量を備える液晶表示装置の開口率を大きくし、かつ実質的な光透過率を低下させることがなく、付加容量電極と画素電極との短絡の発生頻度も低い液晶表示装置を得る。【解決手段】 少なくとも一方の基板上に複数の非線形素子が形成された一対の基板間に液晶を挟持する液晶表示装置であって、非線形素子と、この非線形素子に電気信号を供給するバスライン上に低誘電率絶縁膜を形成し、この低誘電率絶縁膜上に付加容量電極、高誘電率絶縁膜、画素電極を形成する。ここで付加容量電極は不透明金属材料よりなり、前記非線形素子上に形成するのがよい。また低誘電率絶縁膜は有機絶縁材料よりなり、その比誘電率が3.5以下であり、高誘電率絶縁膜は無機絶縁材料よりなり、その比誘電率が3.5以上であることが望ましい。さらに低誘電率絶縁膜のガラス転移点が200°C以上である高分子化合物であるのが望ましい。
Claim (excerpt):
少なくとも一方の基板上に複数の非線形素子が形成された一対の基板間に液晶を挟持する液晶表示装置において、前記非線形素子及び該非線形素子に電気信号を供給するバスライン上に低誘電率絶縁膜を形成し、該低誘電率絶縁膜上に付加容量電極、高誘電率絶縁膜、画素電極を形成したことを特徴とする液晶表示装置。
IPC (4):
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (3):
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 29/78 612 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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液晶表示装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-113166
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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