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J-GLOBAL ID：200903095966558624

低温焼成によるシリカコート膜の形成法

Inventor： 山中 昭彦
Applicant, Patent owner： コルコートエンジニアリング株式会社
Agent (1)： 水野 喜夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991276396
Publication number (International publication number)：1994052796
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 CRTフェース面などのノングレア処理技術としてシリカコート法が注目されているが、、特性に優れたノングレア被膜を形成するにはベーキング条件として高温(150〜200°C)で長時間の焼成条件が必要である。本発明は従来と比較して格段に低い温度(室温〜100°C)で焼成でき、かつ特性に優れたノングレア被膜を形成することができる低温焼成によるシリカコート膜の形成法を提供する。【構成】 低温焼成によるシリカコート膜の形成法において、一般式 Si(OR)4 ......(1) (但し、Rはメチル基またはエチル基を示す。)で表わされる低級アルキルシリケートをメタノール及び/又はエタノール中で加水分解して調製したアルコール性シリカゾルを被覆対象物上に塗布してコーティング膜を形成し、次いで低温焼成によりシリカコート膜とする低温焼成によるシリカコート膜の形成法。

Claim (excerpt)：

低温焼成によるシリカコート膜の形成法において、一般式 Si(OR)4 ......(1)(但し、Rはメチル基またはエチル基を示す。)で表わされる低級アルキルシリケートをメタノール及び/又はエタノール中で加水分解して調製したアルコール性シリカゾルを被覆対象物上に塗布してコーティング膜を形成し、次いで低温焼成によりシリカコート膜とする低温焼成によるシリカコート膜の形成法。