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J-GLOBAL ID：200903095973348244

半導体基板の熱処理方法及びそのための装置

Inventor： 佐藤 功
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994043684
Publication number (International publication number)：1995254545
Application date： Mar. 15, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体基板(半導体ウエハ)を加熱又は冷却する場合において、高精度に温度の制御を行うことができる半導体基板の熱処理方法及びそのための装置を提供する。【構成】 半導体基板を加熱または冷却する熱処理方法において、半導体ウエハ12を長尺状の半導体基板支持ピン13aに載置する工程と、その半導体基板支持ピン13aを昇降させて加熱または冷却プレート部に接近又は離間させ、その半導体基板支持ピン13aの昇降速度を調整することにより、半導体ウエハ12の加熱または冷却温度を制御可能にする。

Claim (excerpt)：

半導体基板を加熱または冷却する熱処理方法において、(a)半導体基板を長尺状の半導体基板支持ピンに載置する工程と、(b)前記半導体基板支持ピンを昇降させて加熱または冷却プレート部に接近又は離間させ、前記半導体基板支持ピンの昇降速度を調整することにより、前記半導体基板の加熱または冷却温度を制御可能にすることを特徴とする半導体基板の熱処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/324

FI (2)：

H01L 21/30 566 ,  H01L 21/30 567