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J-GLOBAL ID：200903095979083420

半導体装置

Inventor： 山岸 信久
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997158571
Publication number (International publication number)：1998223758
Application date： Jun. 16, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ボーダーレスコンタクトホールにより接続するようにしたときに誤短絡したり、耐圧不良等が発生しないようにすることを目的とする。【解決手段】 半導体基板1上に多層金属配線3,8,14を行うようにした半導体装置において、金属配線8の下層の絶縁層の中間部分にN又はCを含有するSiN,SiON,SiC,SiCN等から成る難エッチング層20を設けたものである。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に多層金属配線を行うようにした半導体装置において、金属配線の下層の絶縁層の中間部分にN又はCを含有するSiN,SiON,SiC,SiCN等から成る難エッチング層を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (4)：

H01L 21/90 K ,  H01L 21/283 D ,  H01L 21/302 L ,  H01L 21/88 D