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J-GLOBAL ID：200903095981253775

窒化物半導体素子の製造方法

Inventor： 安齋 信一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001269400
Publication number (International publication number)：2003077846
Application date： Sep. 05, 2001
Publication date： Mar. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】 生産性および歩留まりを向上させることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 層の面内に<11-20>方向とそれに垂直な<1-100>方向を有する種結晶層に、結晶の成長速度が速い<11-20>方向における間隔D<SB>1 </SB>が、種結晶部15の間隔D<SB>2 </SB>より小さいパターンを少なくとも1つ有するアライメントマーク15Aを種結晶部15と共に形成する。なお、アライメントマーク15Aのパターンの間隔D<SB>1 </SB>が、種結晶部15の間隔D<SB>2 </SB>より大きいところでは、結晶の成長速度が遅い<1-100>方向において、アライメントマーク15Aのパターンの間隔D<SB>3 </SB>を4μm以下とする。アライメントマーク15Aのパターンの間隔を工夫したので、アライメントマーク15Aの上に結晶を成長させても、異常成長が抑制されて平坦な表面の被覆成長層を得ることができる。

Claim (excerpt)：

基板の一面側に、窒化物半導体よりなる種結晶層を形成する工程と、前記種結晶層に、複数の種結晶部および、前記種結晶層の外1に示した方向における間隔が前記種結晶部の間隔より小さなパターンを少なくとも一つ有するマークを形成するためのマスクを形成する工程と、前記マスクを用いて前記種結晶層を選択的に除去した後、前記マスクを剥離して、種結晶部およびマークを形成する工程と、前記種結晶部を基礎として、窒化物半導体を成長させることにより被覆成長層を形成する工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。【外1】

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

F-Term (26)：

5F041AA35 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F045AA04 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC19 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045BB02 ,  5F045BB12 ,  5F045HA03 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA84 ,  5F073CA07 ,  5F073CB03 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29