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J-GLOBAL ID：200903095990295383
光導波路
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993226179
Publication number (International publication number)：1995086688
Application date： Sep. 10, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明の目的は、外部変調器付分布帰還型半導体レーザの変調部のバンドギャップを変化させても、変調部の光導波部全体の平均屈折率の変化を抑制し、変調部端面で反射し、発光部へ戻る光の位相の変化を抑えることができる光導波路を提供することである。【構成】 本発明の光導波路は、圧電性を示す面方位の化合物半導体表面にエピタキシャル成長して形成された光導波路であって、光が伝搬する導波領域に、少なくとも1つ以上の、歪みを有する量子井戸を形成する第1の歪量子井戸層と、少なくとも1つ以上の、前記第1の歪量子井戸層よりも厚みが小さい量子井戸を形成する第2の歪量子井戸層とを含む。前記第1の歪量子井戸層と前記第2の歪量子井戸層とは、光軸と垂直の方向に積層されていてもよい。または、光軸方向に接合されていてもよい。
Claim (excerpt)：
圧電性を示す面方位の化合物半導体表面にエピタキシャル成長して形成された光導波路であって、光が伝搬する導波領域に、少なくとも1つ以上の、歪みを有する量子井戸を形成する第1の歪量子井戸層と、少なくとも1つ以上の、前記第1の歪量子井戸層よりも厚みが小さい量子井戸を形成する第2の歪量子井戸層とを含む光導波路。
IPC (3)：
H01S 3/18
, G02F 1/015
, H01S 3/103
