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J-GLOBAL ID：200903095992399984

小型テラヘルツ放射源

Inventor： クープス,ハンス,ヴェー,ペー ,  バウアー,トビアス ,  エルゼッセル,ヴォルフガング ,  フロレアニ,フィリップ ,  ロスコス,ハルトムット
Applicant, Patent owner： ドイッチェ テレコム アーゲー
Agent (1)： 岡部 正夫 (外10名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000620708
Publication number (International publication number)：2003500862
Application date： May. 10, 2000
Publication date： Jan. 07, 2003
Summary：

【要約】スミス・パーセル効果に基づく小型化されたテラヘルツ放射源が提供され、集束された電子源から、高エネルギーの電子の束が、横方向に配置される格子ロッドからなる反射回折格子上を所定の距離で伝送され、その結果、画像電荷が振動するのに応じて、ある波長の電磁波が放射され、その波長はラインの周期性および電子速度の関数として調整可能である。電界エミッタ(1)、静電レンズ(4)、ビーム偏向器(5)、金属の格子(7)および第2のアノード(8)のような放射源の素子は、アディティブナノリソグラフィ法を用いて、半導体チップ上に集積される。電界電子源は、アディティブナノリソグラフィを用いて、ワイヤとして、その表面から突出するように構成され、安定化用の直列抵抗を有する良導体材料から形成される。そのワイヤは、コンピュータ制御による堆積リソグラフィを用いて、直線あるいは曲線の独立した設計で構成される。その表面領域では、基本材料が、電界エミッタ先端部(1)に電源を供給するための制御可能電圧源(3)を含む電気端子および接続部(2)と、レンズ(4)と、制御電極(5、8)のための導体構造を支持する。テラヘルツ放射源は、モジュール式に利用可能であり、任意の空間的な位置において利用可能である強力な構成要素になるように設計される。

Claim (excerpt)：

スミス・パーセル効果に基づく小型化されたテラヘルツ放射源であって、集束された電子源から、高エネルギーの電子の束が、横方向に配置される格子ロッドからなる反射回折格子上を所定の距離をおいて伝送され、その結果、画像電荷が前記格子のプロファイル内で振動するのに応じて、ある波長の電磁波が放射され、該電磁波は、ラインの周期性および電子速度の関数として調整可能であり、 電界エミッタ(1)、静電レンズ(4)、ビーム偏向器(5)、金属の格子(7)および第2のアノード(8)のような前記放射源の構成要素が、アディティブあるいは知られているナノリソグラフィ法を用いて、半導体チップ上に集積される小型テラヘルツ放射源。

IPC (2)：

H01S 3/30 ,  H01J 1/304

FI (2)：

H01S 3/30 A ,  H01J 1/30 F

F-Term (6)：

5F072JJ01 ,  5F072JJ04 ,  5F072JJ20 ,  5F072MM18 ,  5F072PP02 ,  5F072RR01