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J-GLOBAL ID：200903096003195875
熱電変換素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993178182
Publication number (International publication number)：1995035618
Application date： Jul. 19, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】素子作成の際の結晶化のための熱処理時または素子使用の際の加熱時においても、微小な亀裂が生じることがなく、抵抗率も低く抑えた熱電変換素子。【構成】セラミックス焼結体、該焼結体の表面に形成した誘電体の薄膜、及び該薄膜の上に形成した熱電変換材料の薄膜を含むことを特徴とする、熱電変換素子用基板であって、誘電体の薄膜は好ましくはゾル・ゲル法で形成されている。本発明の素子は、例えば、p型熱電変換材料とn型熱電変換材料とが、基板表面で直接接合された少なくとも一か所の部分と、両者が絶縁されている少なくとも一か所の部分とを有しており、直接接合された部分を高温端または低温端とする。
Claim (excerpt)：
セラミックス焼結体、該焼結体の表面に形成した誘電体の薄膜、及び該薄膜の上に形成した熱電変換材料の薄膜を含むことを特徴とする、熱電変換素子。
IPC (2)：
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