Pat
J-GLOBAL ID:200903096013271669
半導体ナノ粒子及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
平木 祐輔 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001210902
Publication number (International publication number):2003025299
Application date: Jul. 11, 2001
Publication date: Jan. 29, 2003
Summary:
【要約】【課題】 任意の粒径の半導体ナノ粒子を製造する。【解決手段】 光エッチング法を用いることにより一定の粒径の半導体ナノ粒子を得る。
Claim (excerpt):
半導体ナノ粒子の製造方法において、半導体ナノ粒子懸濁液に安定化剤の添加とともに単色光を照射して光エッチングにより粒径を揃える工程を含むことを特徴とする半導体ナノ粒子の製造方法。
IPC (5):
B82B 3/00
, C01G 11/02
, C09K 11/08
, G03F 7/00
, H01L 33/00
FI (5):
B82B 3/00
, C01G 11/02
, C09K 11/08 A
, G03F 7/00
, H01L 33/00 A
F-Term (30):
2H096AA25
, 2H096BA13
, 2H096EA02
, 4G047BA02
, 4G047BB05
, 4G047BC02
, 4G047BD03
, 4H001CA02
, 4H001CF01
, 4H001XA07
, 4H001XA08
, 4H001XA15
, 4H001XA16
, 4H001XA22
, 4H001XA30
, 4H001XA31
, 4H001XA33
, 4H001XA34
, 4H001XA48
, 4H001XA49
, 4H001XA52
, 4H001XA74
, 4H001XA80
, 4H001XA82
, 5F041CA33
, 5F041CA35
, 5F041CA41
, 5F041CA42
, 5F041CA46
, 5F041CA77
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