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J-GLOBAL ID：200903096019915720

集束イオンビーム装置

Inventor： 広瀬 博 ,  石谷 亨 ,  大西 毅
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992247601
Publication number (International publication number)：1994103947
Application date： Sep. 17, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：

【要約】【構成】イオン源,カラム系,試料室,制御系(図示していない)から構成されている。イオン源はエミッター1,シールド電極2,引出電極3から構成されている。カラム系は、コンデンサーレンズ4,絞り5,走査電極6,対物レンズ7から構成されている。試料室8は試料微動装置10,試料ホルダー11,二次粒子検出器9から構成されている。【効果】FIB加工の前処理,FIB加工,FIB後処理加工,SEM観察,TEM観察の作業において試料のつけ替えを必要としないこと、同じ座標系を持っているため加工位置と分析位置の同定が容易になり加工観察効率が非常に向上した。

Claim (excerpt)：

走査形電子顕微鏡、又は、透過形電子顕微鏡の試料ホルダーがそのまま集束イオンビーム装置に装着可能で、試料の載せ替え作業をせずに集束イオンビーム加工と走査形電子顕微鏡、又は、透過形電子顕微鏡による観察が可能であることを特徴とする集束イオンビーム装置。

IPC (4)：

H01J 37/20 ,  H01J 37/26 ,  H01J 37/28 ,  H01J 37/30