Pat

J-GLOBAL ID：200903096040315554

半導体量子ドット素子の作製方法

Inventor： 遠藤 聡
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998290370
Publication number (International publication number)：2000124441
Application date： Oct. 13, 1998
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体量子ドット素子の作製方法に関し、キャリアが量子ドット部分を正常に通過するための手段を提供する。【解決手段】 3次元的にキャリアを狭い領域に閉じ込めた量子ドット7構造を結晶の自己組織化成長により作製したのち、アニールを施して量子ドット7に付随する量子井戸を消失させる。

Claim (excerpt)：

3次元的にキャリアを狭い領域に閉じ込めた量子ドット構造を結晶の自己組織化成長により作製したのち、アニールを施して前記量子ドットに付随する量子井戸を消失させることを特徴とする半導体量子ドット素子の作製方法。

IPC (3)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/20 ,  H01S 5/34

FI (3)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18 676

F-Term (22)：

5F052AA11 ,  5F052DA03 ,  5F052DA05 ,  5F052DB01 ,  5F052EA02 ,  5F052EA11 ,  5F052FA16 ,  5F052FA21 ,  5F052GC04 ,  5F052JA10 ,  5F052KA02 ,  5F052KA05 ,  5F073AA51 ,  5F073AA75 ,  5F073CA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CA12 ,  5F073CA24 ,  5F073CB04 ,  5F073DA07 ,  5F073DA16 ,  5F073DA23