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J-GLOBAL ID：200903096042990356

ベンゾ[cチオフェン構造を有する導電性高分子の合成方法

Inventor： 清水 剛夫 ,  彌田 智一 ,  北野 正和
Applicant, Patent owner： ユニチカ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992055019
Publication number (International publication number)：1993255486
Application date： Mar. 13, 1992
Publication date： Oct. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 バンドギャップが小さく、可視光域で透明であるといった特長をもつポリベンゾ[c]チオフェンの合成に関して、ベンゾ[c]チオフェンより安定で、作業性のよい化合物を出発原料とし、かつ、光重合を利用したポリベンゾ[c]チオフェンの合成方法を提供することを目的としている。【構成】 1,3-ジヒドロベンゾ[c]チオフェン化合物を含む気相、液相または固相中に光を照射して合成する。

Claim (excerpt)：

一般式【化1】(式中、R1およびR2はそれぞれ独立に水素、炭化水素基、ハロゲン元素、シアノ基、カルボキシル基またはアルコキシル基を表す。)で示される1,3-ジヒドロベンゾ[c]チオフェン化合物を含む気相、液相又は固相中に光を照射して合成することを特徴とする【化2】(式中、R1およびR2は前記と同意義、nは重合度を示す数である。)で示されるベンゾ[c]チオフェン構造を有する導電性高分子の合成方法。

IPC (2)：

C08G 61/12 NLJ ,  H01B 1/12