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J-GLOBAL ID：200903096059460610

高オフゲート利得GTOサイリスタ2型

Inventor： 柊原 健明
Applicant, Patent owner： 柊原 健明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992051078
Publication number (International publication number)：1993206814
Application date： Jan. 27, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 超高オフゲート利得のGTOサイリスタの実現。【構成】 サイリスタが2トランジスタの合成であるのに対して、図1のような3トランジスタ構成に1つのベース抵抗4を入れたものである。【効果】 オン特性はサイリスタ並みで、オフゲート利得は10000程度にも達する。動作は明解で製造も容易である。微信号にて大きな直流のオフもできるバイポーラースイッチ素子の実現である。

Claim (excerpt)：

インバーテッドダーリントン接続にあるトランジスタの初段トランジスタ2のベースが、制御トランジスタ8のコレクタに結合され、初段トランジスタ2のコレクタはベース抵抗4にて制御トランジスタ8のベースに結合されており、また制御トランジスタ8のエミッタは終段トランジスタ1につながるスイッチ素子。

IPC (3)：

H03K 17/60 ,  H01L 29/74 ,  H03K 17/73

FI (2)：

H03K 17/60 C ,  H03K 17/73 G