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J-GLOBAL ID：200903096068107426

薄膜エレクトロルミネセンス素子

Inventor： 草野 行弘 ,  内藤 壽夫 ,  鯉沼 秀臣
Applicant, Patent owner： 株式会社ブリヂストン ,  鯉沼 秀臣
Agent (1)： 小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995046575
Publication number (International publication number)：1996222370
Application date： Feb. 10, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【構成】 透明電極と背面電極との間に、少なくとも一側に絶縁層を積層した発光層を介在させてなる薄膜エレクトロルミネセンス素子において、前記絶縁層が大気圧下における非平衡低温プラズマ法により形成されたものであることを特徴とする薄膜エレクトロルミネセンス素子。【効果】 本発明によれば、絶縁層を大気圧下における非平衡低温プラズマ法により堆積形成したことにより、該絶縁層の誘電率が高く、高耐圧性であるため、素子の高耐圧を維持しながら輝度の向上を達成できる薄膜エレクトロルミネセンス素子を提供することができる。

Claim (excerpt)：

透明電極と背面電極との間に、少なくとも一側に絶縁層を積層した発光層を介在させてなる薄膜エレクトロルミネセンス素子において、前記絶縁層が大気圧下における非平衡低温プラズマ法により形成されたものであることを特徴とする薄膜エレクトロルミネセンス素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-267272
  
• 特開平4-235283
  
• 特開昭61-296680