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J-GLOBAL ID：200903096079099220

ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法

Inventor： 平山 拓 ,  藤村 悟史 ,  遠藤 浩太朗 ,  石塚 啓太
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (5)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2004002179
Publication number (International publication number)：WO2004077158
Application date： Feb. 25, 2004
Publication date： Sep. 10, 2004
Summary：

ラインエッジラフネスが小さく、レジストパターンプロファイル形状に優れる、イマージョンリソグラフィー工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるホトレジスト組成物が提供される。このホトレジストは、樹脂成分(A)と、酸発生剤成分(B)と、有機溶剤(C)と、下記一般式(1)で表される含窒素有機化合物(D)とを含む。[式中、X、Y、Zは、それぞれ独立して、末端に芳香族環が結合してもよいアルキル基(当該X、Y、およびZのうちの2つの末端が結合して環状構造を形成していてもよい。)であって、かつX、Y、Zのうちの1つ以上が極性基を含み、さらに化合物(D)の分子量が200以上である。]

Claim (excerpt)：

浸漬露光する工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるホトレジスト組成物であって、 酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、有機溶剤(C)と、下記一般式(1)で表される含窒素有機化合物(D)とを含むことを特徴とするホトレジスト組成物。

IPC (3)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 515D

F-Term (21)：

2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  5F046BA04 ,  5F046CB01 ,  5F046CB26 ,  5F046CC01 ,  5F046DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-383217   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-202298   Applicant：富士写真フイルム株式会社