Pat

J-GLOBAL ID：200903096090595884

3-5族化合物半導体の気相成長方法

Inventor： 家近 泰 ,  高田 朋幸 ,  小野 善伸
Applicant, Patent owner： 住友化学工業株式会社
Agent (1)： 久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994030065
Publication number (International publication number)：1995240373
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】Inを効率的に取り込むのに適した低温の成長においても、炭素不純物の少ない、3族元素として少なくともGaとIn、5族元素として少なくともNを含有する高品質の3-5族化合物半導体のエピタキシャル気相成長方法を提供することにある。【構成】3族元素として少なくともGaとIn、5族元素として少なくともNを含有する3-5族化合物半導体のエピタキシャル気相成長方法において、Gaの原料として少なくともトリエチルガリウムを用い、Inの原料として少なくともトリアルキルインジウムを用い、Nの原料として少なくともヒドラジンを用いることを特徴とする3-5族化合物半導体のエピタキシャル気相成長方法。

Claim (excerpt)：

3族元素として少なくともGaとIn、5族元素として少なくともNを含有する3-5族化合物半導体のエピタキシャル気相成長方法において、Gaの原料として少なくともトリエチルガリウムを用い、Inの原料として少なくともトリアルキルインジウムを用い、Nの原料として少なくともヒドラジンを用いることを特徴とする3-5族化合物半導体のエピタキシャル気相成長方法。