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J-GLOBAL ID：200903096095056043

半導体レーザ素子

Inventor： 川中 敏 ,  田中 俊明 ,  柳澤 浩徳
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992042837
Publication number (International publication number)：1993243669
Application date： Feb. 28, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】光損傷レベルが高く、素子抵抗が低い高温高出力動作が可能な半導体レーザ素子を提供する。【構成】活性層の両側に設ける光ガイド層においてn側のガイド層の膜厚をp側ガイド層よりも厚くするか、もしくはn側のみに光ガイド層を設けた非対称SCH構造とし、さらに活性層及び光ガイド層からなる導波層の平均の屈折率と同程度の屈折率を持つ高屈折率層をnクラッド層内部に設けた構造とすることを特徴とした半導体レーザ素子。【効果】光吸収の低減によって光損傷レベルを高め、素子抵抗を4〜5Ωに低減することによって、100°C以上の温度においても100mW以上の光出力が得られる高温高出力動作特性に優れた半導体レーザ素子を実現した。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けたAlGaInP活性層およびその両側を活性層よりもバンドギャップの大きいAlGaInPからなる光ガイド層ではさんだ光-キャリア分離閉じ込め(Separate Confinement Heterostructure:以下、SCHと略す)構造において、n側のガイド層の膜厚をp側のガイド層の膜厚よりも大きくした非対称SCH構造とし、nクラッド層内部にクラッド層よりも屈折率の高いAlGaInPからなる高屈折率層を設け、高屈折率層の屈折率を活性層及び光ガイド層からなるSCH構造の平均の屈折率と同程度としたことを特徴とする半導体レーザ素子。