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J-GLOBAL ID：200903096102035880

炭化珪素薄膜の製造方法及び製造装置

Inventor：
北畠 真

About 北畠 真

, 
平尾 孝

About 平尾 孝


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993316190
Publication number (International publication number)：1995172997
Application date： Dec. 16, 1993
Publication date： Jul. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】 炭化珪素の成長表面で珪素原子が炭素原子に対して常に過剰となるように、炭化珪素表面での炭素と珪素の存在比を制御することにより、平滑表面が再現性良く得られツウィンの成長が抑えられた高性能のエピタキシャル薄膜からなる炭化珪素薄膜を製造する。【構成】 炭化珪素薄膜1の成長中に成長表面2の電子銃3とスクリーン4により反射電子線回折パターン5をモニタし、常に2×3パターンが観測されるように回折像の一部6の強度を、制御機7により、炭素供給用の電子線蒸着機8の出力および珪素供給用のK-CELL9の温度設定にフィードバックさせ、制御する炭化珪素薄膜形成装置を形成する。これにより、上記存在比を制御する。炭化珪素薄膜を結晶性良く再現性良く形成できる。
Claim (excerpt)：
炭化珪素の表面に珪素と炭素を供給し(001)面を有する立方晶炭化珪素薄膜を形成する際、炭化珪素の成長表面で珪素原子数が炭素原子数に対して常に過剰となるように、炭化珪素表面での炭素と珪素の存在比を制御することを特徴とする炭化珪素薄膜の製造方法。
IPC (5)：
C30B 29/36 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  C30B 25/18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
  • 特開昭62-158198
  • 特開昭62-230699
  • 特開平2-185972
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