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J-GLOBAL ID：200903096108256691

窒化ホウ素の気相合成法

Inventor： 松本精一郎 ,  西田 典弘 ,  守吉 佑介 ,  明石 和夫
Applicant, Patent owner： 科学技術庁無機材質研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993343557
Publication number (International publication number)：1996208207
Application date： Dec. 15, 1993
Publication date： Aug. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 緻密質の窒化ホウ素を1気圧下で或いは低温で合成し得る方法を提供する。【構成】 熱プラズマ或いは非平衡プラズマを用い、ホウ素源として三フッ化ホウ素、窒素源として含窒素化合物を原料とする気相合成法において、原料ガス中のH/Fの比を1以下とすることを特徴としている。基板温度は200°C以上から可能である。密度が1.95g/cm3以上の緻密質の窒化ホウ素が得られる。

Claim (excerpt)：

熱プラズマ或いは非平衡プラズマを用い、ホウ素源として三フッ化ホウ素、窒素源として含窒素化合物を原料とする気相合成法において、原料ガス中のH/Fの比を1以下とすることを特徴とする窒化ホウ素の合成法。

IPC (2)：

C01B 21/064 ,  B01J 19/08