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J-GLOBAL ID：200903096110162513
光変調器/半導体レーザ集積化光源
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993224353
Publication number (International publication number)：1995078960
Application date： Sep. 09, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】 光変調器/半導体レーザ集積化光源に関し、光変調器側の端面に窓部分を形成した場合、光吸収層を含んだリッジの先端と埋め込み成長層との間に空所が発生することを簡単な手段を採ることで防止することを可能にして、光変調器/半導体レーザ集積化光源の性能を向上させようとする。【構成】 平面で見た全体がT字状(或いはY字状或いは傘形状)をなし、半導体レーザ部分では少なくとも活性層を含むと共に光変調器部分では少なくとも光吸収層を含み且つ前記光変調器部分に於ける先端には前記T字状を構成する為の横バー部分31Aが存在するリッジ31と、前記リッジ31の横バー部分31Aと前記光変調器部分の端面との間に作り込まれて光の反射を低減させる窓構造とが含まれる。
Claim (excerpt)：
平面で見た全体がT字状をなしていて半導体レーザ部分では少なくとも活性層を含むと共に光変調器部分では少なくとも光吸収層を含み且つ前記光変調器部分に於ける先端には前記T字状を構成する為の横バー部分が存在するリッジと、前記リッジの横バー部分と前記光変調器部分の端面との間に作り込まれて光の反射を低減させる窓構造とが含まれてなることを特徴とする光変調器/半導体レーザ集積化光源。
IPC (2)：
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