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J-GLOBAL ID:200903096118969149
電界放出型電子源アレイの製造方法、電界放出型電子源アレイ、及びその製造装置、並びにカーボンナノチューブの分離精製方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
平木 祐輔
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000047762
Publication number (International publication number):2001236878
Application date: Feb. 24, 2000
Publication date: Aug. 31, 2001
Summary:
【要約】【課題】 薄型表示装置に適した電界放出型電子源アレイの製造方法、電界放出型電子源アレイ、及びその製造装置、並びにカーボンナノチューブの分離精製方法を提供する。【解決手段】 導電性基板26と、少なくともカーボンナノチューブを含む導電性材料層25と、複数の表裏を貫通する微小経路を有する絶縁性基板23と、表面に絶縁性膜22を有する導電性基板21とを積層し、導電性基板21と導電性基板26との間に最適な交流電圧を印加することにより、電界放出型電子源に適した良質なカーボンナノチューブが微細な伸縮を繰り返しながら絶縁性基板23の表裏を貫通する微小経路内へと移動し、微小経路内にカーボンナノチューブが充填、配向された絶縁性基板23が作製される。
Claim (excerpt):
第1の導電性基板と、少なくともカーボンナノチューブを含む導電性材料層と、複数の表裏を貫通する微小経路を有する絶縁性基板と、表面に絶縁性膜を有する第2の導電性基板とを積層し、第1の導電性基板と第2の導電性基板との間に交流電圧を印加することにより、前記絶縁性基板に対して少なくともカーボンナノチューブを含む導電性材料を複数の表裏を貫通する微小経路内へと移動、充填させることを特徴とする電界放出型電子源アレイの製造方法。
IPC (4):
H01J 9/02
, C01B 31/02 101
, G09F 9/30 360
, H01J 1/304
FI (4):
H01J 9/02 B
, C01B 31/02 101 F
, G09F 9/30 360
, H01J 1/30 F
F-Term (10):
4G046EB13
, 5C094AA42
, 5C094AA43
, 5C094AA44
, 5C094AA55
, 5C094BA21
, 5C094EA10
, 5C094FB02
, 5C094FB12
, 5C094GB01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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電界放出陰極及びその形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-342416
Applicant:三菱電機株式会社
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カーボンナノチューブ精製方法およびその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-280431
Applicant:大研化学工業株式会社
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