Pat
J-GLOBAL ID：200903096125659627
シリコン単結晶基板の製造方法および品質管理方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
落合 稔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995127091
Publication number (International publication number)：1996091993
Application date： May. 30, 1989
Publication date： Apr. 09, 1996
Summary：
【要約】【目的】 半導体素子製造工程中のいかなる熱処理によっても安定した抵抗率を示す、窒素が添加されたシリコン基板の製造方法および品質管理方法を提供する。【構成】 単結晶の育成中に窒素が添加されたシリコン単結晶基板について、少なくとも半導体素子製造工程前に900°C〜1250°Cの間のいずれかの温度で保持して約10分〜1時間加熱し、抵抗率を単結晶育成直後の値に回復させることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
シリコン単結晶の育成中に窒素を添加する工程と、前記シリコン単結晶を切断する工程と、切断されたシリコン単結晶基板を、少なくとも半導体素子製造工程前に900°C〜1250°Cの間のいずれかの温度で保持して約10分〜1時間加熱し、抵抗率を単結晶育成直後の値に回復させる工程とを有することを特徴とするシリコン単結晶基板の製造方法。
IPC (3)：
C30B 29/06
, C30B 13/12
, H01L 21/324
