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J-GLOBAL ID：200903096128876467

ポジ型レジスト組成物

Inventor： 曽根 篤 ,  谷島 幹男
Applicant, Patent owner： 日本ゼオン株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994207919
Publication number (International publication number)：1996095240
Application date： Aug. 09, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 プロファイル、感度、耐熱性、焦点深度ばかりでなく、基板との接着性にも優れ、更に露光破裂を発生しない新たなレジスト組成物を提供する。【構成】 1または2個のヒドロキシル基を有する少なくとも1種類のフェノール類をアルデヒド類と縮合させて得られる樹脂とキノンジアジドエステルとを含有してなるポジ型レジスト組成物であって、該樹脂が、(1)UV254nmの検出器を用いたGPCパターンにおけるポリスチレン換算重量平均分子量が1500〜5000、(2)UV254nmの検出器を用いたGPCパターンにおけるポリスチレン換算分子量で?@900未満の範囲の面積比が未反応フェノール類のパターン面積を除く全パターン面積に対して25%以下、?A6000以下の範囲の面積比が未反応フェノール類のパターン面積を除く全パターン面積に対して80%以上である樹脂(A)を含むアルカリ可溶性樹脂であるポジ型レジスト組成物。

Claim (excerpt)：

1または2個のヒドロキシル基を有する少なくとも1種類のフェノール類をアルデヒド類と縮合させて得られる樹脂とキノンジアジドエステルとを含有してなるポジ型レジスト組成物であって、該樹脂が、(1)UV254nmの検出器を用いたGPCパターンにおけるポリスチレン換算重量平均分子量が1500〜5000、(2)UV254nmの検出器を用いたGPCパターンにおけるポリスチレン換算分子量で?@900未満の範囲の面積比が未反応フェノール類のパターン面積を除く全パターン面積に対して25%以下、?A6000以下の範囲の面積比が未反応フェノール類のパターン面積を除く全パターン面積に対して80%以上である樹脂(A)を含むアルカリ可溶性樹脂であるポジ型レジスト組成物。

IPC (3)：

G03F 7/022 ,  G03F 7/023 511 ,  H01L 21/027