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J-GLOBAL ID：200903096138164163
新規な炭素系の炭化水素吸蔵体、及びその製造法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐伯 憲生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003205003
Publication number (International publication number)：2005047737
Application date： Jul. 31, 2003
Publication date： Feb. 24, 2005
Summary：
【課題】本発明は、一枚の原子層を持つグラファイトを出発物質にソフト化学的な手法により、メタンなどの炭化水素貯蔵に理想的な吸蔵体を創出する。【解決手段】本発明は、(1)グラファイトを酸化してグラファイト酸化物とする工程、(2)次いでこのグラファイト酸化物の層面間距離を拡大する工程、及び(3)拡大された層面間距離を有する炭素の層を維持するために炭素の層と炭素の層の間に含炭素化合物の炭化処理物を形成させる工程からなる、層面間距離が通常のグラファイトよりも拡大された炭素の層を有し、かつそれらの層が含炭素化合物の炭化処理物により維持されていることを特徴とする炭素系のメタンなどの炭化水素吸蔵材料の製造方法、及び当該方法により製造された炭素系の炭化水素吸蔵材料に関する。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
(1)グラファイトを酸化してグラファイト酸化物とする工程、(2)次いでこのグラファイト酸化物の層面間距離を固定化する工程、及び(3)固定化された層面間距離を有する炭素の層を維持するために炭素の層と炭素の層の間に含炭素化合物の炭化処理物を形成させる工程からなる、層面間距離が通常のグラファイトよりも拡大された炭素の層を有し、かつそれらの層が含炭素化合物の炭化処理物により維持されていることを特徴とする炭素系の炭化水素吸蔵材料の製造方法。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (13)：
4G146AA01
, 4G146AB01
, 4G146AC04B
, 4G146AC09B
, 4G146AC28B
, 4G146AD32
, 4G146BA02
, 4G146BB06
, 4G146BB07
, 4G146BB11
, 4G146BC03
, 4G146BC32B
, 4G146BC33B
Cited by examiner (2)
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新規メソポーラス炭素構造体の製造法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2002-381293
Applicant：独立行政法人科学技術振興機構, 独立行政法人産業技術総合研究所
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多孔質グラファイト複合材料及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-392871
Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
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