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J-GLOBAL ID：200903096142498726

バリアメタルの製造方法

Inventor： 堤 聡明
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996298569
Publication number (International publication number)：1998144629
Application date： Nov. 11, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 バリアメタルとしてバリア性の高い窒化チタンシリサイド膜を、薄く、かつ段差被覆性良く形成する。【解決手段】 半導体基板1上にシリコン酸化膜2を形成した後、接続孔3を形成する。この表面にチタン膜4を形成し、その上に窒化チタン膜5を熱CVD法により形成する。次に、シランプラズマ9中に窒化チタン膜5を晒すことにより、窒化チタンシリサイド膜6を形成する。

Claim (excerpt)：

(a)熱CVD法を用いて窒化チタン膜を形成する工程と、(b)前記窒化チタン膜にシリコンを導入して窒化チタンシリサイド膜を形成する工程とを備えるバリアメタルの製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/3205

FI (5)：

H01L 21/285 301 T ,  H01L 21/285 C ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/88 M