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J-GLOBAL ID：200903096154057652

ゲート酸化物の拡散隔膜特性の改良法

Inventor： トマス シー.ホロウェイ
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997217652
Publication number (International publication number)：1998079509
Application date： Aug. 12, 1997
Publication date： Mar. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 MOSFETトランジスターのゲート酸化物の拡散隔膜特性を改良する。【解決手段】 ゲート酸化物の拡散隔膜特性が改良されたMOSFETを提供する方法であって、暴露したゲート酸化物表面を有する、部分的に制作したMOSFETを与えることから成る上記方法。MOSFET制作の間、窒素のイオンラジカル、フリーラジカルの一方又は両方を前記の暴露したゲート酸化物表面に適用することによって、前記の暴露したゲート酸化物表面はオキシナイトライドに転換する。次いで、MOSFETの制作は標準的な手段で完成される。

Claim (excerpt)：

ゲート酸化物拡散隔膜特性の改良されたMOSFETを提供する方法において、(a) ゲート酸化物表面が暴露した部分的に制作したMOSFETを提供し、(b) 窒素のイオン又はフリーラジカルの一方又は両方を前記の暴露したゲート酸化物の表面に適用することによって、前記表面を、オキシナイトライドに転換し、(c) 前記のMOSFETの制作を完了する段階を含んでなる、方法。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/318

FI (2)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/318 C