Pat

J-GLOBAL ID：200903096170763486

半導体装置

Inventor： 赤川 雅俊
Applicant, Patent owner： 新光電気工業株式会社
Agent (1)： 綿貫 隆夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994235526
Publication number (International publication number)：1996097336
Application date： Sep. 29, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 安価でかつ放熱性に優れる半導体装置を提供する。【構成】 樹脂基体31に配線パターン32が形成された基板28と、配線パターン32と接続された外部接続端子26と、基板28上に搭載され、配線パターン32と電気的に接続された半導体チップ33と、樹脂で形成され、半導体チップ33を覆って基板28に固定されると共に、半導体チップ33表面に対応する部位に表裏を貫通するビア孔39が設けられ、ビア孔39内に第1の伝熱材40が充填された樹脂キャップ35と、樹脂キャップ35と半導体チップ33との間の間隙に配置され、ビア孔39内に充填された第1の伝熱剤40と半導体チップ33とに接触する第2の伝熱材43とを具備することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

樹脂基体に配線パターンが形成された基板と、該配線パターンと接続された外部接続端子と、前記基板上に搭載され、前記配線パターンと電気的に接続された半導体チップと、樹脂で形成され、前記半導体チップを覆って前記基板に固定されると共に、半導体チップ表面に対応する部位に表裏を貫通するビア孔が設けられ、該ビア孔内に第1の伝熱材が充填された樹脂キャップと、該樹脂キャップと前記半導体チップとの間の間隙に配置され、前記ビア孔内に充填された第1の伝熱材と前記半導体チップとに接触する第2の伝熱材とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/34 ,  H01L 23/36