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J-GLOBAL ID：200903096173500451

半導体装置の製造方法

Inventor： 宇賀神 守 ,  小中 信典 ,  榊原 裕 ,  高橋 光俊
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 高山 敏夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991078517
Publication number (International publication number)：1993090280
Application date： Mar. 18, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 バイポーラトランジスタのベース形成等の半導体装置の製造工程において、均一で高精度に濃度制御ができ、結晶欠陥のない、非常に浅い不純物層を形成すること。【構成】 シリコン基板表面に薄い絶縁膜を形成し、この絶縁膜中に不純物イオンを注入し、ついで高温短時間熱処理によって不純物イオンをシリコン基板中に浅く高濃度に導入する場合、あらかじめ不純物拡散層の拡散深さと濃度とイオン注入量および酸化膜厚との関係を求めておき、所望の絶縁膜の膜厚とイオン注入の注入量を上記の関係から選択することによって、シリコン基板中に導入する不純物の拡散深さおよび濃度を高精度に制御する半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

シリコン基板表面に薄い絶縁膜を形成する工程と、前記の絶縁膜中に不純物イオンを注入する工程と、ついで高温短時間熱処理によって前記不純物イオンをシリコン基板中に浅く高濃度に導入する工程とを備え、あらかじめ不純物拡散層の拡散深さおよび濃度とイオン注入量および酸化膜厚との関係を求めておき、所望の絶縁膜の膜厚とイオン注入の注入量を前記の関係から選択することによって、シリコン基板中に導入する不純物の拡散深さおよび濃度を高精度に制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/265

FI (2)：

H01L 29/72 ,  H01L 21/265 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-205522
  
• 特公昭46-042652
  
• 特開平2-266527