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J-GLOBAL ID：200903096173948096
化合物半導体素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994043581
Publication number (International publication number)：1994326416
Application date： Mar. 15, 1994
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高品質のGax Aly In1-x-y Nを成長することにより、高性能の化合物半導体素子を提供することを目的とする。【構成】 半導体レ-ザや発光ダイオ-ド等のpn接合を有する化合物半導体発光素子において、立方晶SiC基板の(111)面上にGax Aly In1-x-yN(0≦x≦1,0≦y≦1)層を、基板と対向する結晶面がNとなるように成長させる。
Claim (excerpt)：
立方晶SiC基板と、この立方晶SiC基板の(111)面上に形成されたGax Aly In1-x-y N(0≦x≦1,0≦y≦1)層とを具備することを特徴とする化合物半導体素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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