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J-GLOBAL ID：200903096174417060

半導体装置

Inventor： 森 茂
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991340834
Publication number (International publication number)：1993174578
Application date： Dec. 24, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 センス動作時にビット線の充放電の為に生じる電源電圧及びグランド電圧のノイズを低減し、ピーク電流を低減する。【構成】 メモリセルアレイ部1にメッシュ状に設けられたセンスアンプ用の電源線71、72及びグランド線61、62を、くし形に形成に互いに入れこにするように構成する事によって、電源線とグランド線との間に寄生容量が生じるように構成する。【効果】 電源線とグランド線との間に設けられた寄生容量がデカップリング容量として働き電源、グランドのセンス時のノイズを低減すると共にピーク電流も小さく抑える事ができる。

Claim (excerpt)：

以下の要素を有する半導体装置(a)給電と放電により所定の動作をする半導体回路、(b)上記半導体回路への給電と放電を行なう電位の異なる2つの導体を所定のレイアウトで対向するように配置し、両導体の間で、容量を保持できるようにした容量保持手段。

IPC (3)：

G11C 11/409 ,  G11C 11/413 ,  H01L 27/108

FI (3)：

G11C 11/34 353 E ,  G11C 11/34 341 A ,  H01L 27/10 325 V