Pat
J-GLOBAL ID：200903096180322348

デュアルモード・バンドパスフィルタ

Inventor：
神波 誠治

About 神波 誠治

, 
溝口 直樹

About 溝口 直樹

, 
岡村 尚武

About 岡村 尚武

, 
萬代 治文

About 萬代 治文


Applicant, Patent owner：
株式会社村田製作所

About 株式会社村田製作所


Agent (1)： 宮▼崎▲ 主税
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000151756
Publication number (International publication number)：2001332905
Application date： May. 23, 2000
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 小型化を図ることができ、結合度や帯域幅を容易にかつ大幅に調整することができ、設計の自由度に優れたデュアルモード・バンドパスフィルタを得る。【解決手段】 誘電体基板2の第1の主面または誘電体基板のある高さ位置において共振器を構成する金属膜3が構成されており、該金属膜3と誘電体基板層を介して対向するように少なくとも1つのグラウンド電極4が形成されており、金属膜3に入出力結合回路5,6が結合されており、金属膜3とグラウンド電極4とが対向している領域の一部に、比誘電率が残りの部分と異なる誘電体基板部分2a,2bが2つの共振を結合するように形成されている、デュアルモード・バンドパスフィルタ1。
Claim (excerpt)：
第1,第2の主面を有する誘電体基板と、前記誘電体基板の第1の主面または誘電体基板のある高さ位置において部分的に形成されている金属膜と、前記金属膜と誘電体基板層を介して対向するように、誘電体基板の第2の主面または誘電体基板内に形成された少なくとも1つのグラウンド電極と、前記金属膜に異なる部分で結合された一対の入出力結合回路とを備え、前記金属膜により発生される2つの共振モードが結合するように、前記金属膜と前記グラウンド電極とが誘電体基板層を介して対向されている領域の誘電体基板の一部の比誘電率が残りの部分の比誘電率と異ならされている、デュアルモード・バンドパスフィルタ。
IPC (3)：
H01P 1/203 ,  H01P 1/208 ,  H01P 7/08
FI (3)：
H01P 1/203 ,  H01P 1/208 A ,  H01P 7/08
F-Term (7)：
5J006HB03 ,  5J006HB15 ,  5J006HC14 ,  5J006JA01 ,  5J006LA05 ,  5J006NA04 ,  5J006NC02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM