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J-GLOBAL ID：200903096188839617

イメージセンサ

Inventor：
浜崎 正治

About 浜崎 正治


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996033230
Publication number (International publication number)：1997232555
Application date： Feb. 21, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：
【要約】【課題】 画素間クロストークの発生を避けるために、N型の半導体基板に設けたP型のウエル層に受光部となるN+ 型の不純物層を形成すると、P型のウエル層とN+ 型の不純物層との接合容量が増加して検出感度を低下させていた。【解決手段】 第1導電型(N型)の半導体基板11に設けた第2導電型(P型)のウエル層12に第1導電型の受光部となるN+ 型の不純物層13を形成したイメージセンサ1 において、N+ 型の不純物層13とP型のウエル層12との間に、N+ 型の不純物層13よりも不純物濃度が低くかつN+ 型の不純物層13の下部側に接続するN- 型の不純物層14を備えたものである。またはP型のウエル層12よりも不純物濃度が低くかつN+ 型の不純物層13の下部側に接合するP型の不純物層(図示省略)を備えてもよい。
Claim (excerpt)：
第1導電型の半導体基板に設けた第2導電型のウエル層に第1導電型の受光部を形成したイメージセンサにおいて、前記第1導電型の受光部と前記第2導電型のウエル層との間に、該第1導電型の受光部よりも不純物濃度が低くかつ該第1導電型の受光部の下部側に接続する第1導電型の不純物層を備えたことを特徴とするイメージセンサ。
IPC (3)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335
FI (3)：
H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E ,  H01L 31/10 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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