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J-GLOBAL ID：200903096194888328

高周波加熱装置

Inventor： 大井 浩之 ,  新屋敷 浩
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995282440
Publication number (International publication number)：1997102462
Application date： Oct. 03, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ウェーハのCu汚染を完全に排除した高周波加熱装置を提供する。反応ガスによるワークコイルの汚染・損傷を防ぐ。【解決手段】 基台11を半球状のステンレス製ベルジャ12および石英製のインナーベルジャ13で覆うことで、略半球形状の真空チャンバ14を画成する。真空チャンバ14内に、ウェーハ載置用のサセプタ17を回転自在に配設する。サセプタ17の下方に渦巻き状のCu製ワークコイル19を配設し、ドーナツ状の円筒体である石英製のカバー20で覆う。石英製のカバー20の上壁20Aおよび側壁20Bにガス通路21を形成する。エピタキシャル成長時、ガス通路21に不活性ガスを流す。コイル19から拡散したCuがカバー20に到達しても、ガスにより外部に排出される。反応ガス成分がコイル設置空間に侵入しない。ウェーハのCu汚染、原料ガスによるCuコイル19の変質を完全に防止できる。

Claim (excerpt)：

真空チャンバ内に配設された金属製の高周波ワークコイルと、真空チャンバ内に配設されてこのワークコイルを覆う石英製のカバーと、このカバーに形成したガス通路とを備えた高周波加熱装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/324

FI (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 B ,  H01L 21/324 D