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J-GLOBAL ID：200903096215545434

炭化珪素半導体装置の製造方法

Inventor： 奥野 英一 ,  小島 淳
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999217888
Publication number (International publication number)：2000106371
Application date： Jul. 30, 1999
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 炭化珪素半導体に注入された不純物の活性化率を向上させる。【解決手段】 p型ベース領域3の表層部に窒素(N+ )をイオン注入する。そしてさらに、水素等の不純物とならないイオン種をイオン注入し、p型ベース領域3の表層部をアモルファス化させてアモルファス層40を形成する。その後、固相成長により、不純物を取り込ませつつアモルファス層40を結晶化させて表面チャネル層5を形成する。このように、不純物がドーピングされたアモルファス層40を結晶化させて表面チャネル層5を形成すれば、確実に不純物を格子位置に置換させることができるため、不純物の活性化率を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

炭化珪素からなる半導体層(2)と、該半導体層に隣接し、炭化珪素にドーピングされた不純物を活性化させて形成した不純物層(3)とを有する炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記半導体層に隣接するように、n型又はp型不純物がドーピングされた炭化珪素からなるアモルファス層(40)を形成する工程と、固相成長により、前記不純物を取り込ませつつ前記アモルファス層を結晶化させて前記不純物層を形成する工程と、を有することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 29/78 658 E ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/78 652 E ,  H01L 29/78 652 T