Pat
J-GLOBAL ID：200903096216247321
エッチング処理方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
亀谷 美明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993319057
Publication number (International publication number)：1995147273
Application date： Nov. 24, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：
【要約】【目的】 低温環境で高いエッチングレートの異方性エッチングを実現する。【構成】 本発明によれば、真空処理室内において被処理体の温度を冷却しながら反応性プラズマにより前記被処理体を処理するエッチング処理をするに際して、少なくとも一種の分極したハロゲン化合物を含む処理ガスを前記真空処理室内に導入しプラズマ化することにより前記被処理体の処理を行うことにより、電気的吸引力により処理ガスを被処理体に吸着させ、その吸着量を温度が低温になればなるほど増加させることができるので、低温環境であっても高いエッチングレートの異方性エッチングを実現できる。
Claim (excerpt)：
真空処理室内において被処理体の温度を冷却しながら反応性プラズマにより前記被処理体を処理するエッチング処理方法において、少なくとも一種の分極したハロゲン化合物を含む処理ガスを前記真空処理室内に導入しプラズマ化することにより前記被処理体の処理を行うことを特徴とする、エッチング処理方法。
FI (2)：
H01L 21/302 J
, H01L 21/302 F
